星空下的追光者：林蘭英院士和她的半導體人生紫山蘭水吳家粦 <p class="ql-block">在浩瀚的科學星空中，有一顆以中國科學家命名的行星一“林蘭英星”。這顆閃耀的星辰，恰似莆田藉院士林蘭英璀璨的一生。從木蘭溪畔的普通女子到國際半導體領域的開拓者，林蘭英用她堅韌不拔的意志和對科學的無限熱忱，以半導體這一“現代工業食糧”，譜寫了一曲動人的巾幗傳奇之歌。</p> <p class="ql-block">林蘭英（1918年2月7日一2003年3月4日），女，出生于福建省莆田市，博士畢業于美國賓夕法尼亞大學，半導體材料學家、物理學家，中國科學院院士。曾任中國科學院半導體研究所副所長、研究員、博士生導師，國際非晶及液體半導體顧問委員會委員、中國電子學會電子材料專業學會主任委員、中國科學技術協會副主席、空間科學與應用學術委員會主任等職務。被譽為“中國半導體材料之母”、“中國太空材料之母”。</p> <p class="ql-block">林蘭英院士在工作。</p> <p class="ql-block">美國賓夕法尼亞大學。</p> <p class="ql-block">1918年2月7日，林蘭英出生于福建莆田荔城一個普通的教師家庭里。1930年，在莆田礪青小學校長彭介之的推薦下保送入礪青中學（現莆田四中），之后因連續年級六個學期成績第一名而免除學雜費。1933年考入莆田中學（現莆田一中）高中部學習，高中六個學期成績均年級第一。1936年，她以優異的成績進入福建協和大學（福建師范大學前身）物理系，她以驚人的毅力同時修完數學、物理、化學三個專業課程，展現出非凡的科學天賦。1948年，她遠渡重洋赴美留學，僅用一年時間就獲徐迪金森學院數學學士學位，隨后又在賓夕法尼亞大學獲得固體物理學博士學位，成為該校第一位中國女博士。</p> <p class="ql-block">留學美國時的林蘭英。</p> <p class="ql-block">在美國求學期間，林蘭英面臨著常人難以想象的壓力和挑戰。作為實驗室里唯一的女性，她不僅要克服性別岐視，還要在資源匱乏的條件下開展研究。一次實驗中，她連續工作36小時，最終成功測綜了硅單晶的彈性系數，這一數據至今仍被國際學術界廣泛引用。1955年，她發表的《硅的歐姆接觸的利備》和《錯和硅的載流子抽出電極的制備》兩篇論文，解決了當時半導體研究中的關健難題，使她成為美國半導體研究領域的佼佼者。</p> <p class="ql-block">林蘭英博士。</p> <p class="ql-block">1957年，面對祖國的召喚，39歲的林蘭英毅然放棄美國的工作環境和優渥的生活條件，謝絕美國公司開出天價年薪挽留這位天才科學家，并沖破美國有關部門的阻撓，以母親病重為由，在印度駐美大使館（因中美未建交）的幫助下回到中國科學院工作。當時國內半導體研究幾乎一片空白，她帶領團隊從零開始，在簡陋的條件下成功地研制出我國第一根硅單晶，第一臺高壓單晶爐，打破了西方國家的技術封鎖，使中國成為了繼美國、蘇聯之后第三個掌握直拉硅單晶技術的國家。此后，她又相繼領導團隊研制出砷化鎵、磷化錦等半導體材料，使我國半導體技術躋身世界先進行列。這些突破，為“兩彈一星”等重大工程提供了關鍵材料支撐。當第一顆人造衛星播放《東方紅》樂曲時，也回蕩著這位女科學家的智慧結晶。她常說：“科學無國界，但科學家有祖國?！边@份赤子之心，照亮了中國半導體事業的發展道路。</p> <p class="ql-block">林蘭英與她的科研團隊同事工作照。</p> <p class="ql-block">林蘭英的一生，是不斷突破自我、追求卓越的一生。晚年時期，她仍堅持每天工作到深夜，指導年輕的科研人員。她培養的數十位研究生，如今都成為我國半導體領域骨干力量。2003年3月4日，85歲高齡的林蘭英走完了她光輝的一生，但她留下的科學精神仍在激勵著后來者。國際小行星中心將編號第37988號小行星命名為“林蘭英星”，這是對她畢生貢獻的最高禮贊。</p> <p class="ql-block">從木蘭溪到銀河系，林蘭英用她的一生詮釋了什么是其真正的科學家精神。在她身上，我們看到了莆田人“敢為天下先”的勇氣，看到了中國知識分子“科學報國”的情懷，更看到了女性在科學領域可以到達的高度。今天的中國半導體事業正如雨后春筍般蓬勃發展，而這一切，都始于像林蘭英這樣的開拓者當初播下的種子。仰望星空，“林蘭英星”永遠閃耀，照亮著后來者前行的道路。</p> <p class="ql-block">晚年時的林蘭英仍堅持工作。</p> <p class="ql-block">林蘭英院士作為中國半導體科學的奠基人，其卓越的貢獻獲得了多項國家級榮譽和國際認可，以下是她的主要榮譽成就：</p><p class="ql-block">1980年當選為中國科學院院士。</p><p class="ql-block">1985年獲國家科學技術進步獎二等獎。表彰她在半導體材料領域的開創性研究，特別是對我國第一根硅單晶研制的重大貢獻。</p><p class="ql-block">1990年獲國家科學技術進步獎三等獎。肯定她在砷化鎵等化合物半導體研究中的突破性進展。</p><p class="ql-block">1996年榮獲何梁何利基金科學與技術進步獎。這是中國科技界的頂級獎項，授予她在微重力半導體材料科學領域的開拓性工作，尤其是太空晶體生長研究的國際影響力。</p><p class="ql-block">這些榮譽不僅對她個人科研成就的肯定，更折射出她將畢生精力奉獻給祖國科技事業的赤子之心一一從放棄美國優渥待遇攜關鍵材料回國，到她終身未婚投身科研的執著精神，林蘭英用行動詮釋了“國之脊梁”的深刻內涵。</p> <p class="ql-block">位于莆田的“林蘭英院士故居”。門前的對聯：</p><p class="ql-block">獻身科學為國分憂半導體業數風流，</p><p class="ql-block">大家風范獻身人類太空材料顯神奇。</p> <p class="ql-block">注：</p><p class="ql-block">圖片：網絡，感謝原作者。</p><p class="ql-block">文字：紫山蘭水據網絡資料編輯。</p>